1024 Гб ssd накопитель samsung 850 evo

1024 Гб ssd накопитель samsung 850 evo

Оглавление

Начать процесс тестирования накопителей по обновленной методике мы решили с того, чем закончили использование ее предыдущей версии — семью накопителями с SATA-интерфейсом и емкостью порядка 500 ГБ. В числе прочего это позволит желающим поискать различия между поведением устройств на старом и новом стендах и провести параллели между тестированиями по разным методикам. Одно новое устройство среди испытуемых присутствовать будет, но совсем уж незнакомым его назвать сложно, если вообще возможно. Впрочем, обо всем по порядку.

Intel 545s 512 ГБ

Накопители этого семейства мы тестировали в декабре прошлого года. На данный момент именно они являются чуть ли не единственными потребительскими версиями SSD компании с интерфейсом SATA — в Intel считают, что время NVMe давно настало, причем компания делает все возможное, чтобы таковые устройства перестали восприниматься как нечто дорогое и экзотическое. Впрочем, поставки для модернизации старых компьютеров никто не отменял, да и многодисковую СХД зачастую удобнее собирать именно на SATA-накопителях (линий PCIe в современной настольной системе временами не хватает), так что жизнь 545s предполагается долгой. И расширение семейства продолжается — в частности в конце прошлого года начались поставки модификации на 1024 ГБ, а со временем обещано и как минимум еще одно удвоение емкости. Но мы сегодня повторно протестируем накопитель на 512 ГБ. Набраны они при помощи 64-слойной 3D NAND TLC совместного производства Intel и Micron, причем чипами по 256 Гбит. Все это обслуживается недорогим контроллером Silicon Motion SM2259, которому в работе «помогает» 512 МБ DDR3L. Словом, типичное недорогое по исполнению устройство, имеющее, тем не менее, далеко не самую низкую розничную цену. С другой стороны, Intel предоставляет на этот накопитель пятилетнюю гарантию с неплохим ограничением на полный объем записанных данных: 288 ТБ. Учитывая это, полноценными конкурентами данных продуктов на рынке являются разве что накопители Samsung нового семейства 860 Evo, к которым (а также их родственникам) мы и переходим.

Samsung V-NAND SSD 850 Evo 500 ГБ

Samsung V-NAND SSD 860 Evo 500 ГБ

Samsung V-NAND SSD 860 Pro 512 ГБ

Подробно об истории твердотельных накопителей Samsung вообще и этих линейках в частности мы рассказывали совсем недавно, так что обойдемся лишь кратким перечислением основных моментов. Серия 850 Evo — первый продукт компании на базе 32-слойной 3D NAND TLC (или как ее называет разработчик «3-bit MLC») собственного производства, появившийся три года назад. Позднее в накопителях пару раз менялась память, так что тестируемый нами экземпляр использует уже 64-слойную память с кристаллами по 256 Гбит в комплексе с контроллером MGX (также собственной разработки) и DRAM-буфером типа LPDDR3 емкостью 512 МБ.

Со временем эти накопители из продажи исчезнут по мере исчерпания запасов, поскольку на смену им идет 860 Evo — с усовершенствованным контроллером, способным, в частности, работать с большим размером SLC-кэша. Заодно и гарантийные ограничения были смягчены: гарантия осталась пятилетней, но полный объем записанных данных теперь не должен превышать 300 ТБ, а не всего 150 ТБ как ранее. Но не обошлось и без ложки дегтя — память в этих устройствах аналогичная во всем, кроме размеров кристалла: он увеличен с 256 до 512 Гбит, что (и это мы уже видели) в некоторых случаях приводит к определенным потерям производительности. На что можно и не обращать внимания — все равно SSD Samsung являются одними из самых быстрых на рынке, а реальные прикладные программы пока еще неспособны полностью загрузить работой и «медленные».

860 Pro же — устройство вообще без компромиссов: в нем используется двухбитная MLC-память с кристаллами по 256 Гбит. Соответственно, вопросов к быстродействию накопителя в принципе не возникает — это лучшее, что можно получить, не меняя интерфейс (или не меняя принципиально тип используемой памяти, но все равно вряд ли кто-то из производителей «не NAND» станет применять таковую совместно с SATA). И ограничение полный объем записанных данных для соблюдения условий гарантии (длиной все те же пять лет) составляет беспрецедентные (в этом классе) 600 ТБ. Разумеется, ничто не дается бесплатно — особенно если использовать дорогую память 🙂 Но, хотя бы, принципиальная возможность приобрести 860 Pro есть у каждого — в то время, как большинство производителей накопителей на MLC уже не производят. Либо ограничиваются старыми разработками.

Silicon Power Velox V85 480 ГБ

В частности, как в данном случае. Причем уже в первом обзоре данной модели мы прямо писали, что интересна она нам в первую очередь не сама по себе, а как иллюстрация поведения до сих пор встречающейся на рынке связки из 15-нанометровой «планарной» MLC-памяти Toshiba и контроллера Phison PS3110-S10. Тем более, что почти все такие накопители (за исключением разве что продукции компании Kingston) производятся непосредственно по заказу Phison и в одних и тех же местах, так что, независимо от конкретной торговой марки, могут быть интересны страдающим «TLC-фобией», но не желающим слишком много платить за избавление от нее 🙂

Впрочем, если без шуток, то обходить вниманием хорошо знакомую многим и некогда достаточно популярную платформу нам просто не хотелось.

SanDisk Ultra 3D 500 ГБ

WD Blue 3D 500 ГБ

Эти продукты (со вторым из них мы уже знакомы) имеет смысл рассматривать именно парой — слишком много у них общего. Точнее, почти нет различий: WD в свое время как раз для выхода на рынок флэш-памяти и поглотила SanDisk. Но оба бренда продолжают использоваться параллельно — хотя бы из-за того, что за время самостоятельной работы обе компании успели обзавестись собственными каналами продаж. С технической же точки зрения оба накопителя можно считать одним и тем же устройством, построенным на базе контроллера Marvell 88SS1074 и 64-слойных кристаллов флэш-памяти BiCS 3D NAND TLC совместного производства SanDisk и Toshiba. Условия гарантии тоже были до последнего времени одинаковыми: три года при ограничении TBW в 200 ТБ (для данной емкости). Фактически все, что немного отличается — прошивки: X61110RL и X61130WD соответственно (несложно догадаться — где какая), хотя и тут, вполне возможно, все ограничивается только названием. Как и в общем случае, где к нему добавляются дизайн и каналы поставок. Впрочем, в рознице эти устройства легко могут оказаться на соседних полках одного и того же магазина, причем по разной цене, что делает выбор особенно интересным 🙂 Во всяком случае, если в плане исполнения гарантийных обязательств ориентироваться непосредственно на магазин — «в случае чего» дальнейшие действия покупателя будут немного разными, поскольку и обращаться нужно будет по разным адресам. Да и вообще в настоящее время запущена программа по переводу Blue 3D на пятилетний гарантийный срок, а вот что будет с Ultra 3D — информации у нас пока нет. Скорее всего, произойдут с линейкой аналогичные изменения, но, возможно, что продукты «разойдутся» по этому параметру. Что же касается скоростных характеристик, то мы их сравним напрямую, воспользовавшись подходящим случаем.

Тестирование

Методика тестирования

Методика подробно описана в отдельной статье. Там можно познакомиться с используемым аппаратным и программным обеспечением.

Производительность в приложениях

В принципе, как уже не раз было отмечено, в условиях, максимально приближенных к реальности никакой твердотельный накопитель «узким местом» в системе не будет, так что и результаты этого теста у всех примерно одинаковые.

Потенциальные же возможности устройств различаются чуть заметнее — даже в одном классе. Но они именно потенциальные — это могло бы иметь значение при уменьшении роли других компонентов системы. Однако для достижения подобного эффекта придется как минимум переписать все программное обеспечение в расчете на наличие у пользователя «быстрого» накопителя, а не винчестера. А произойдет это не ранее, чем первые начнут преобладать на рынке, причем не только в новых системах. В общем, не сегодня и не завтра.

Пока же наблюдаются иные тенденции — предыдущая версия пакета, использующая трассы более «старых» приложений, как видим, «находила» между испытуемыми чуть больше различий. Впрочем, это может быть связано и с тем, что для того ПО уже излишне избыточным является используемое нами аппаратное окружение. Но от этого не легче: для решения «легких» задач не требуется и мощный компьютер, а «слабый» потенциальную разницу и скомпенсирует.

Читайте также:  Huawei с хорошей камерой и батареей

Последовательные операции

При обновлении тестовой методики мы увеличили используемый в этой программе объем данных с 1 до 16 ГБ, после чего выяснилось, что Silicon Motion SM2259 в таких условиях можно и «завалить» многопоточной нагрузкой, так что уже он сам перестанет справляться с данными, несмотря на продвинутый подход к SLC-кэшированию. Понятно, что это чистая синтетика — но остальные с ней справляются намного лучше. Как это им поможет в более реальных условиях — посмотрим чуть позже.

Случайный доступ

Для SATA-устройств разницы между двумя «старшими» режимами нет, поскольку очередь команд при использовании протокола AHCI в любом случае ограничена 32 штуками (так что два их в основном для устройств других типов). В целом же выше «точки насыщения» получаем, фактически, соревнование контроллеров: Silicon Motion похуже справляется с чтением, Marvell — с записью данных.

На более коротких (и более приближенных к реальности) очередях различия между испытуемыми немного сглаживаются, зато небольшие расхождения уже могут появиться и под влиянием прошивки и/или конкретных чипов памяти.

Впрочем, давно уже ни для кого не является секретом, что разнообразные «многопоточные иопсы» — чисто синтетическая нагрузка, тестирование в которой интересно только как самоцель: сравнить друг с другом разные накопители. Поскольку как-то же их надо сравнивать, а тесты приложений обычно упираются в совсем другие компоненты системы 😉 Во всяком случае, когда речь идет о типовом персональном компьютере, где типичными вообще являются операции чтения разными блоками и с единичной очередью команд. Хорошо еще, если хотя бы «единичная» получается — на деле производительности любого твердотельного накопителя в таких случаях достаточно, чтобы между выполнением команд он еще и «поспать» успевал. Если «поспать не давать», то. Разница между испытуемыми в принципе есть, но обычно не такая уж и большая, причем неплохо коррелирующая с тестами высокого уровня — разве что немного более ярко выраженная.

Работа с большими файлами

Единственное, на что можно обратить внимание — очень высокая производительность Velox V85 при работе в один поток. Впрочем, легко объяснимая — использование кристаллов по 128 Гбит (что существенно меньше, чем в прочих участниках тестирования) позволяет даже в таком режиме эффективно распараллелить нагрузку по большому количеству банков памяти. А при увеличении количества потоков данных все бодро «упираются» в ограничения SATA-интерфейса.

При записи же подобным образом может вести себя лишь пара накопителей Samsung — 850 Evo и 860 Pro. А вот 860 Evo из-за перехода на кристаллы по 512 Гбит вообще оказался аутсайдером.

Ну и самая тяжелая нагрузка — чтение одновременно с записью. Что характерно — она же и наиболее близкая к практике. И тут нельзя не отметить показатели 860 Pro — от всех остальных он отличается радикально, причем независимо от конкретного сценария. 860 Evo существенно обгоняет предшественника при случайном доступе, но проигрывает при более линейных нагрузках: второе как раз снова следствие «больших» кристаллов, а первое — результат существенного увеличения SLC-кэша.

Рейтинги

Наибольший интерес представляют результаты двух моделей Samsung — 850 Evo и 860 Pro. Вернее, их крайне небольшое различие, несмотря на использование памяти разных типов — небольшую разницу можно вполне списать и на эволюционное усовершенствование контроллеров и прошивок. Скорее всего, 860 Evo вообще вел бы себя неотличимо от Pro, если бы компания не увеличила в модели этой емкости размер кристаллов флэш-памяти. То есть, как видим, в современных условиях даже по низкоуровневым скоростным характеристикам уже не всегда возможно четко различить «близкородственные» накопители на базе MLC- и TLC-памяти, что, естественно, работает «на руку» последним. С другой стороны, если же рассматривать не только какую-то пару-тройку конкретных линеек одного производителя, а положение в целом, то несложно заметить (хотя бы на примере сегодняшней семерке испытуемых), что «старый конь борозды не портит». В частности, Velox V85 построен на базе старой платформы, но все равно работает несколько быстрее, чем накопители Intel и SanDisk/WD на базе TLC-памяти.

Правда вот в обобщенном рейтинге (который мы опять начинаем набирать с нуля), учитывающем и результаты тестов высокого уровня, тот же Velox V85 оказывается самым медленным. Что понятно — низкоуровневые характеристики легко могут оказаться невостребованными программным обеспечением, а вот платить за них придется по-полной и сразу. Поэтому при необходимости выбрать что-то конкретное мы и советуем выбирать именно что-то конкретное: не пытаясь делать каких-то далеко идущих обобщений.

В таблице приведены средние розничные цены протестированных сегодня SSD-накопителей, актуальные на момент чтения вами данной статьи:

Илья Гавриченков

20 января 2015

Компания Samsung за несколько последних лет смогла не только завоевать звание лидера рынка потребительских SSD, но и стать на этом рынке самым главным новатором. Первыми твердотельными накопителями, которыми Samsung смогла привлечь серьёзное внимание к собственным продуктам, стали представители вышедшей в 2011 году серии SSD 830. А уже через год, с появлением 840 Pro, накопители Samsung стали своеобразным «золотым стандартом» — лучшими SATA SSD для высокопроизводительных персональных компьютеров верхнего ценового сегмента. Попутно Samsung боролась и за массового пользователя: для этой категории потребителей были выпущены специальные накопители серий 840 и 840 EVO. Используя свои огромные производственные и инженерные возможности, в этих накопителях компания Samsung смогла первой на рынке внедрить трёхбитовую TLC NAND, чем добилась существенного снижения себестоимости накопителей. Вертикальная интегрированность самсунговского производства SSD — отличный козырь при внедрении любых новых технологий, и с применением в потребительских твердотельных накопителях TLC-памяти компания смогла опередить ближайших конкурентов как минимум на пару лет.

Инновации продолжаются и по сей день. Огромный скачок вперёд Samsung сделала в 2013 году, когда смогла начать серийный выпуск трёхмерной флеш-памяти, 3D V-NAND. Трёхмерная память легко решает проблему масштабируемости кристаллов флеш-памяти и дальнейшего наращивания плотности хранения данных в них. Очевидно, что традиционный экстенсивный путь, предполагающий удешевление производства флеш-памяти за счёт внедрения новых технологических процессов с более тонкими нормами, в ближайшем будущем натолкнётся на серьёзные фундаментальные препятствия. Освоив же технологию выпуска многослойных кристаллов флеш-памяти, Samsung получила огромный простор для дальнейшего беспрепятственного движения вперёд. Выпущенный в середине прошлого года SSD 850 Pro, ставший первым серийным флеш-накопителем на базе 32-слойной MLC 3D V-NAND, продемонстрировал огромный потенциал новой технологии. Выход структуры флеш-памяти в третье измерение ознаменовался заметным увеличением производительности и существенным ростом надёжности, в результате чего Samsung 850 Pro получил звание одного из лучших твердотельных SATA-накопителей современности для энтузиастов.

Однако у Samsung 850 Pro всё-таки есть один неприятный, с точки зрения обычного пользователя, изъян. Этот накопитель, как и всякий флагманский продукт, имеет достаточно высокую цену. Поэтому вслед за этой моделью Samsung , которую в её стремительном движении по пути прогресса не может остановить уже, похоже, ничто, выпустила другой SSD — 850 EVO. Этот накопитель базируется ещё на одной разновидности принципиально новой трёхмерной флеш-памяти, которая объединяет передовую многослойную 3D V-NAND-структуру с удешевлённой архитектурой TLC NAND. И в результате в лице Samsung 850 EVO вырисовывается массовый продукт, претендующий на то, чтобы стать непревзойдённым вариантом по соотношению цены, производительности и надёжности. По крайней мере в теории всё выглядит именно так.

Для того же, чтобы проверить эту красивую легенду, мы взяли на тесты пару экземпляров Samsung 850 EVO. Эти накопители только-только появляются в продаже, и поэтому результаты их тестов вызывают огромный практический интерес.

⇡#Технические характеристики

Несмотря на все нововведения, новый твердотельный накопитель Samsung 850 EVO — прямой наследник предыдущей массовой модели, 840 EVO. Ключевыми компонентами, обеспечивающими хорошие потребительские характеристики 840 EVO, выступали TLC-память, собственный контроллер Samsung и технология TurboWrite. В новом SSD 850 EVO набор почти такой же, просто поновее: на место TLC NAND пришла трёхмерная TLC V-NAND, вместо контроллера Samsung MEX используется обновлённый контроллер Samsung MGX, никуда не делась и технология TurboWrite, в описании которой добавилось прилагательное «усовершенствованная». Взглянем на весь этот набор по порядку.

Естественно, самое главное и самое интересное в Samsung 850 EVO — это трёхмерная трёхбитовая память. И о 3D NAND, и о TLC NAND мы уже говорили ранее в соответствующих обзорах. Но теперь обе эти технологии слились воедино, и, надо сказать, получилось у них это очень органично. У обычной планарной TLC-памяти есть две проблемы, уходящие корнями в сам принцип её функционирования: низкая скорость и низкая надёжность. Связано это с тем, что ячейки TLC NAND для хранения трёх бит данных должны различать восемь уровней напряжения, в то время как, например, в MLC NAND используется лишь четыре уровня. Поэтому программирование и снятие уровня напряжения в TLC NAND занимает больше времени, а надёжность хранения сильно страдает от износа полупроводниковой структуры ячейки: даже небольшое утончение слоя диэлектрика может приводить к утечке заряда с плавающего затвора. Более того, с внедрением новых, более «тонких» техпроцессов проблема выносливости ячеек TLC NAND только усугубляется, так как компоненты каждой ячейки приобретают меньшие геометрические размеры изначально.

Ключевая же идея 3D V-NAND заключается в том, что более плотного хранения информации в кристаллах флеш-памяти можно добиться не за счёт миниатюризации геометрии техпроцесса, а путём расположения ячеек в трёх плоскостях. Например, применяемая в Samsung 850 Pro трёхмерная MLC NAND имеет 32 слоя, и это позволяет при её производстве использовать 40-нм техпроцесс, но при этом всё равно получать полупроводниковые кристаллы с меньшей площадью, нежели у планарной MLC NAND, выпущенной по 16-нм нормам. Очевидно, что если аналогичный подход применить к TLC NAND, то проблема с надёжностью и отчасти со скоростью работы может быть легко решена. «Кондовые» 40-нм ячейки более устойчивы к износу, а их плавающий затвор может удерживать гораздо большее число электронов, обеспечивая уверенную вариативность при программировании и распознавании логических уровней. Иными словами, скрещивание технологий TLC и 3D V-NAND не меняет основных принципов функционирования трёхбитовой памяти, но попутное укрупнение ячеек приводит к их лучшей стабильности. Samsung, в частности, утверждает, что вероятность возникновения ошибок при снятии данных с её TLC V-NAND, произведённой по 40-нм нормам, примерно на порядок ниже, чем у планарной TLC-памяти.

Есть выигрыш и в скорости программирования. Планарная TLC NAND при записи данных требует подачи на управляющий затвор ячеек нескольких последовательных импульсов и многочисленных промежуточных проверок правильности программирования. С трёхмерной же TLC V-NAND число итераций удаётся сократить, и продолжительность операций записи снижается примерно на 50 процентов. Похожим образом сокращается и цикл чтения.

Как вы наверняка помните, полупроводниковые кристаллы современной 32-слойной MLC V-NAND, производимые по технологическому процессу с нормами 40 нм и применяемые в Samsung 850 Pro, имеют ёмкость 86 Гбит. Для Samsung 850 EVO память производится точно по такой же технологии, но, благодаря записи в каждую ячейку не двух, а трёх бит информации, ёмкость кристаллов возрастает в полтора раза — до 128 Гбит. При этом такие кристаллы имеют примерно вдвое меньшую площадь по сравнению с планарными 128-гигабитными кристаллами TLC NAND, которые Samsung производит по 19-нм техпроцессу. И это — прекрасная иллюстрация эффективности дизайна TLC V-NAND: с внедрением в неё трёхмерности Samsung не только добивается значительного улучшения характеристик скорости и надёжности дешёвой трёхбитовой памяти, но и дополнительно снижает свои издержки на её производство.

Учитывая, что 850 EVO в конечном итоге должен стать недорогим накопителем, Samsung не стала устанавливать в него и свой лучший контроллер MEX, который при использовании SATA-интерфейса позволяет получить максимальную скорость работы. Специально для модели 850 EVO был разработан новый упрощённый и более энергоэффективный контроллер MGX, который имеет лишь два, а не три ядра ARM Cortex-R4. Однако он производится по более современному техпроцессу, что позволило производителю поднять его частоту. В результате потеря в пиковой производительности составила всего лишь порядка 2-5 процентов, что вряд ли можно назвать серьёзной утратой. Более того, в терабайтной версии 850 EVO, где для обслуживания таблицы трансляции адресов действительно требуется хорошая производительность, используется старый контроллер MEX.

В результате линейка Samsung 850 EVO получила следующий набор характеристик:

Производитель Samsung
Серия 850 EVO
Модельный номер MZ-75E120 MZ-75E250 MZ-75E500 MZ-75E1T0
Форм-фактор 2,5 дюйма
Интерфейс SATA 6 Гбит/с
Ёмкость 120 Гбайт 250 Гбайт 500 Гбайт 1 Тбайт
Конфигурация
Микросхемы памяти: тип, интерфейс, техпроцесс, производитель Samsung 128 Гбит 40-нм TLC V-NAND
Микросхемы памяти: число / количество NAND-устройств в чипе 1/8 2/8 4/8 8/8
Контроллер Samsung MGX Samsung MEX
Буфер: тип, объем LPDDR2-1066,
256 Мбайт
LPDDR2-1066,
512 Мбайт
LPDDR2-1066,
512 Мбайт
LPDDR2-1066,
1 Гбайт
Производительность
Макс. устойчивая скорость последовательного чтения 540 Мбайт/с 540 Мбайт/с 540 Мбайт/с 540 Мбайт/с
Макс. устойчивая скорость последовательной записи 520 Мбайт/с 520 Мбайт/с 520 Мбайт/с 520 Мбайт/с
Макс. скорость произвольного чтения (блоки по 4 Кбайт) 94000 IOPS 97000 IOPS 98000 IOPS 98000 IOPS
Макс. скорость произвольной записи (блоки по 4 Кбайт) 88000 IOPS 88000 IOPS 90000 IOPS 90000 IOPS
Физические характеристики
Потребляемая мощность: бездействие/чтение-запись 0,2 Вт/3,7-4,4 Вт
MTBF (среднее время наработки на отказ) 1,5 млн ч
Ресурс записи 75 Тбайт 150 Тбайт
Габаритные размеры: Д × В × Г 100 × 69,85 × 6,8 мм
Масса 66 г
Гарантийный срок 5 лет
Рекомендованная цена $90 $135 $240 $470

В этой таблице прекрасно всё, ну или почти всё, за исключением стоимости. Samsung решила пока не ввязываться в ценовую войну с производителями дешёвых накопителей, а выступать со своей многообещающей новинкой в среднем рыночном сегменте. Впрочем, на то у неё есть все основания: всё-таки 850 EVO — достаточно производительный и надёжный SSD для того, чтобы его хорошо покупали и не по совсем бросовой цене.

Говоря о достоинствах Samsung 850 EVO, начать, пожалуй, стоит с того, что производитель даёт на этот флеш-привод пятилетнюю гарантию, что соответствует гарантийному сроку многих флагманских моделей. Более длительной гарантией обладают лишь Samsung 850 Pro и SanDisk Extreme Pro. И это значит, что Samsung ожидает от своей TLC V-NAND ресурса как минимум не хуже, чем у современной планарной MLC NAND. Об этом же говорят и заявленные показатели выносливости: для младших моделей разрешена запись по 41 Гбайт в день, а для старших — по 82 Гбайт ежедневно. То есть надёжность у Samsung 850 EVO явно выше среднего, а модификации на 500 Гбайт и 1 Тбайт и вовсе обладают таким же ресурсом, как и Samsung 850 Pro. Иными словами, с точки зрения заявленного ресурса Samsung 850 EVO куда ближе к дорогим, чем к бюджетным моделям.

Примерно то же можно сказать и о заявленных скоростных характеристиках. Отставание Samsung 850 EVO от старшего собрата 850 Pro, который мы считаем самым быстрым SSD сегодняшнего дня, чисто символическое, причём проявляется оно исключительно на операциях чтения. Похоже, что Samsung 850 EVO сможет и здесь конкурировать с флагманскими SATA SSD других производителей. Правда, следует понимать, что высокие скорости, заявленные в спецификациях, учитывают работу технологии TurboWrite, использующей для ускорения операций псевдо-SLC-кеш. И числа в таблице — это скорость работы кеша, то есть при длительных операциях с большими объёмами данных нас будет ожидать совсем иное быстродействие. Впрочем, размер быстрого кеша у Samsung 850 EVO не так уж и мал. Для моделей на 120 и 250 Гбайт его объём установлен на отметке 3 Гбайт, для модификации на 500 Гбайт — 6 Гбайт, а для терабайтного накопителя — 12 Гбайт. При записи данных на накопитель в первую очередь всегда заполняется этот скоростной буфер, а во время простоя данные из него переносятся в более медленную TLC-память. Таким образом, в обычной повседневной работе никакого падения производительности, скорее всего, заметно не будет.

Реализованы в Samsung 850 EVO и все остальные атрибуты добротного SSD. В нём есть поддержка энергосберегающего состояния DevSleep, а также аппаратный движок шифрования, который совместим со стандартами TCG Opal 2.0 и IEEE-1667 и может управляться из среды операционной системы, например через стандартное средство BitLocker.

Остаётся лишь напомнить, что твердотельные накопители компании Samsung снабжаются одной из лучших сервисных утилит Magican, версия которой к настоящему моменту доросла до 4.5. В этой утилите, помимо обычных возможностей для такого рода программ, есть и поддержка технологии RAPID 2.1 — программного кеширования операций ввода-вывода в оперативной памяти компьютера. На данном этапе развития эта технология получила возможность задействовать под кеш до 4 Гбайт памяти. Впрочем, мы всё ещё не рекомендуем пользоваться подобными функциями, так как они не гарантируют сохранности пользовательских данных при системных сбоях или внезапных отключениях питания.

⇡#Внешний вид и внутреннее устройство

Samsung 850 EVO основывается на контроллерах с восьмиканальной архитектурой, а TLC V-NAND, устанавливаемая в этих накопителях, имеет ядра ёмкостью 128 Гбит. Это означает, что достаточной для обеспечения максимальной производительности степенью внутреннего параллелизма обладают старшие модификации SSD ёмкостью 500 Гбайт и 1 Тбайт. Именно поэтому в нашем сегодняшнем тестировании принимают участие сразу два экземпляра новинки — объёмом 250 и 500 Гбайт.

Вполне естественно, что модификации Samsung 850 EVO разной ёмкости снаружи выглядят совершенно одинаково.

Для этого SSD используется точно такой же тонкостенный 2,5-дюймовый алюминиевый корпус высотой 7 мм, как во флагманской модели, 850 Pro. Внешний окрас — чёрный, на лицевой поверхности краской нанесён логотип Samsung и серый квадрат, в том или ином виде присутствующий на всех SSD компании такого же форм-фактора. На оборотной стороне корпуса имеется этикетка, из которой можно почерпнуть информацию о названии и ёмкости модели, её артикуле и серийном номере.

А вот внутренности Samsung 850 EVO смотрятся куда необычнее. Например, при вскрытии 250-гигабайтной модели мы были очень удивлены размерами печатной платы и тем, что на ней присутствует всего четыре микросхемы.

Внутри 500-гигабайтной модели использована плата чуть большего размера, однако ей всё равно очень далеко до того, чтобы заполнить всё пространство внутри корпуса.

Современные технологические процессы, которые использует Samsung при производстве начинки своих SSD, позволяют обходиться без каких-либо теплопроводящих прокладок или иных средств для отвода тепла от микросхем на поверхность корпуса. Не стали корейцы раскошеливаться и на реализацию усиленной схемы питания, позволяющей контроллеру корректно завершать работу с таблицей трансляции адресов при внезапных отключениях.

Что же касается номенклатуры используемых чипов, то в обоих случаях мы видим одинаковые базовые контроллеры Samsung MGX и одинаковые чипы флеш-памяти, каждый из которых имеет ёмкость 128 Гбайт и содержит внутри себя по восемь 16-гигабайтных кристаллов TLC V-NAND, произведённых по 40-нм техпроцессу. Не различаются у SSD ёмкостью 256 и 512 Гбайт и микросхемы оперативной памяти. В обоих случаях это LPDDR2 SDRAM объёмом 512 Мбайт.

Заметьте, никаких отдельных микросхем SLC NAND, обеспечивающих работу кеширующей технологии TurboWrite, внутри Samsung 850 EVO не предусмотрено. Вместо этого роль SLC-буфера играет небольшая часть ячеек TLC-памяти, выделенных из общего массива. Именно поэтому накопители серии 850 EVO имеют столь нетипичную линейку объёмов, кратных 250 Гбайт (за исключением младшей версии). Примерно 3,5 процента от общей вместимости флеш-памяти отводится на псевдо-SLC-кеширование, и ещё порядка 5,5 процента — на подменный фонд и работу технологий выравнивания износа и сборки мусора.

Ну и в заключение внешнего знакомства с Samsung 850 EVO — о комплекте поставки. Вернее, о его отсутствии: в коробке с SSD, кроме собственно твердотельного накопителя, вы не обнаружите ничего полезного, даже салазок для установки в 3,5-дюймовый отсек корпуса. В этом отношении рассматриваемая модель подобна всем остальным SSD данного производителя. Переходим к тестированию накопителя.

Не так давно на нашем сайте вышел обзор накопителя 950 PRO — это самое быстрое запоминающее устройство на потребительском рынке в 2016 году. Второй в табели о рангах идет линейка 850 PRO с интерфейсом SATA 3.0. И снова южнокорейской компании принадлежит самый быстрый накопитель в своем классе. Серия 850 EVO, — а мы познакомимся сразу с двумя моделями различных форм-факторов — предлагает высокое быстродействие вкупе с небольшой ценой. Такого привлекательного во всех отношениях симбиоза удалось достичь путем перевода TLC-памяти в трехмерное пространство. Технология получила название 3D V-NAND. А еще серьезно увеличилась надежность накопителей.

Samsung 850 EVO

Технические характеристики и особенности конструкции

«Эксперименты» с трехбитной памятью TLC на покупателях южнокорейский производитель начал еще в 2013 году. Прошлое поколение — 840 EVO — я считаю удачным, хотя о надежности этих SSD ходило много споров, ведь количество циклов перезаписи ячеек у TLC меньше, чем у MLC/SLC. По скоростным характеристикам такой тип памяти тоже уступает, так как для хранения трех бит информации задействуется восемь уровней напряжения, на снятие которых требуется больше времени. У MLC — вдвое меньше. При этом увеличивается износ ячейки. С внедрением новых технологических норм проблема лишь усугубляется, так как уменьшение размера ячейки (утоньшение слоя диэлектрика) приводит к утечке заряда с плавающего затвора.

Применение трехмерной структуры 3D V-NAND решает обе проблемы. Во-первых, послойная упаковка TLC занимает меньше места, чем, например, планарная MLC. Итог: нет смысла гнаться за уменьшением техпроцесса. Память в линейках 850 PRO и 850 EVO произведена по 40-нанометровым «доисторическим» нормам, что серьезно увеличивает ее надежность. В Samsung заявляют, что вероятность возникновения ошибок при считывании данных с TLC V-NAND в 10 раз ниже, чем у «обыкновенной» планарной TLC. Слова подкрепляются делом: на все накопители серии 850 EVO распространяется 5-летняя гарантия. Конкуренты предлагают в основном 3 года.

Во-вторых, в TLC V-NAND сокращено количество импульсов, подаваемых на управляющих затвор ячеек. Увеличена производительность. В итоге линейка 850 EVO несильно уступает 850 PRO в плане быстродействия. При этом накопители разного объема имеют приблизительно одинаковую производительность. Серьезного перекоса (согласно характеристикам) между моделями не наблюдается.

В обзор попали сразу два SSD с одинаковым объемом 500 Гбайт. Накопители с интерфейсами SATA 3.0 и M.2 обладают схожими техническими характеристиками. Конечно же, везде используется 40-нанометровая память TLC V-NAND с емкостью кристаллов 128 Гбит. Серия 850 EVO с интерфейсом SATA 3.0 насчитывает четыре модели. Устройство объемом 1 Тбайт несколько выделяется из «толпы», так как базируется на более производительном контроллере MEX. Этот же процессор используется в «твердотельниках» 850 PRO. Накопителей с интерфейсом M.2 всего три. Во всех случаях используется печатная плата формата 2280 с двумя ключами типа «B» и «М».

Samsung 850 EVO
Интерфейс SATA 3.0 M.2
Маркировка модели MZ-75E120BW MZ-75E250BW MZ-75E500BW MZ-75E1T0BW MZ-N5E120BW MZ-N5E250BW MZ-N5E500BW
Объем 120 Гбайт 250 Гбайт 500 Гбайт 1 Тбайт 120 Гбайт 250 Гбайт 500 Гбайт
Память Samsung, 40 нм, TLC V-NAND, 128 Гбит, 32 слоя
Контроллер Samsung MGX Samsung MEX Samsung MGX
Буферная память 256 Мбайт LPDDR2-1066 512 Мбайт LPDDR2-1066 1024 Мбайт LPDDR2-1066 512 Мбайт LPDDR3
Максимальная скорость последовательного чтения/записи 540/520 Мбайт/с 540/500 Мбайт/с
Максимальная скорость произвольных чтения/записи 94 000/88 000 IOPS 97 000/88 000 IOPS 98 000/90 000 IOPS 97 000/89 000 IOPS
Ресурс записи 75 Тбайт 150 Тбайт 75 Тбайт 150 Тбайт
Гарантия 5 лет
Цена 4600 руб. 8100 руб. 12 400 руб. 24 500 руб. 4800 руб. 7000 руб. 12 500 руб.
Купить

Есть в линейке 850 EVO и серия под разъем mSATA. Старенький, бесперспективный стандарт, который используется в крошечных компьютерах (например, Intel NUC), ноутбуках и некоторых материнских платах. В современных решениях я его давно не встречал. И все же наличие в продаже этой серии — отличный способ омолодить свою машину.

Характерная черта линейки 850 EVO: отсутствие у накопителей какой-либо сопутствующей комплектации. В картонной коробке, помимо устройства, покоится только краткое руководство пользователя.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector