13002 Транзистор параметры цоколевка

13002 Транзистор параметры цоколевка

Транзисторы S8050, SS8050

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высокочастотные усилительные. Производитель — Китай. Выпускаются в пластмассовом корпусе TO-92, с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка S8050.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов класса B — от 85 до 160, класса С — от 120до 200, класса D — от 160 до 300.

Граничная частота передачи тока:
У транзистора S8050 — 150 МГц.
У транзистора SS8050 — 190 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер25 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) — У транзистора S8050 — 0,5 А, у SS8050 — 1,5 A.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА — 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 500мА, базы 50мА — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора— У транзистора S8050 — 0.3 Вт., у SS8050 — 1Вт.

Отечественый аналог SS8050 — КТ6114Б, при использовании в УЗЧ и УПТ можно менять на КТ815Г, КТ817Г.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 40 в — не более 0,1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 0,1 мА.

Транзисторы MJE13002(13002)

Транзисторы MJE13002(13002) кремниевые мощные низкочастотные,структуры n-p-n, предназначены для работы в преобразователях напряжения. Корпус пластиковый TO-126. Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13002(13002).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер300 В.

Максимальный ток коллектора1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — около 40 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока4 МГц.

Читайте также:  Beat win score разница

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 15 в — не более 1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 9 в — не более 1 мА.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

13001 – кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Так же его можно встретить в схемах низкочастотных усилителей в качестве усилителя звукового сигнала.

Цоколевка

Транзисторы в корпусе ТО-92 у разных производителей отличатся по порядковому номеру вывода. Самая распространённая цоколевка выводов 13001 такая: 1 -база Б (B), 2 — коллектор К (C),3 – эмиттер Э (E). У известного производителя TSMC, с аналогичной маркировкой на корпусе, номера ножек 1–Э (E), 2-К (C), 3-Б (B), а у транзисторов с маркировкой mje 3–Э (E), 2-К (C), 1-Б (B).Так выглядит распиновка 13001-SOT-23 (производитель YFWDIODE)

Параметры

Основные технические параметры 13001 (при температуре окружающей среды +25 °C) следующие:

  • принцип действия – биполярный;
  • корпус ТО-92 или SOT-23;
  • материал корпуса – пластик;
  • материал – монокристаллический кремний;

электрические (для устройства в корпусе ТО-92):

электрические (для устройств в корпусе SOT-23):

Комплементарная пара

Комплементарный аналог у 13001 отсутствует.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Читайте также:  10 Раз неправильно ввел пароль на айфон

Будьте внимательны ! Цоколевка транзисторов 13001, TS13001, MJE13001 разная.

Замена и аналоги

В качестве замены подойдут более мощные транзисторы серии 13000: 13002, 13003, 13005, 13007, 13009, MJE13002, MJE13003, MJE13005. При этом придется учесть немного большие размеры корпусов и распиновку, которая тоже может отличаться. Российский аналог 13001 являются транзистор КТ538А, и очень похожий по параметрам, но в другом корпусе транзистор КТ8270А.

Использование

Транзистор 13001 самые маломощные в линейке 13000. Его используют там, где не нужны высокие токи. Например в пускорегулирующих устройствах для люминисцентных ламп малой мощности и во многом другом.

Интересный факт что транзистор 13001 ставят в лягушки (зарядное устройства) в который из за сильного нагревания он часто выходит из строя.

Можно попробовать сделать усилитель низкой частоты своими руками.

Безопасность в использовании

Не допускайте повышения напряжения в цепи К-Э более 500 В и коллекторного тока более 200 мА. Подберите подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня. Не допускайте перегрева более +150 °С. Пайка выводов допускается не ближе 5 миллиметров от корпуса устройства, не более 2-3 секунд на каждый электрод. Предельная температура пайки не должна быть больше +250 °С.

Производители

DGNJDZ (Nanjing International Group);

Semtech Electronics Ltd.;

YFWDIODE (Dongguan you feng wei electronics).

Биполярный транзистор ALJ13002 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: ALJ13002

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TO92

Читайте также:  Hp g62 разборка и чистка

ALJ13002 Datasheet (PDF)

1.1. alj13002.pdf Size:103K _update

SUNROC ALJ13002 TRANSISTOR(NPN) FEATURES 1. EMITTER Power dissipation 2.COLLECTOR PCM:0.8W(Tamb=25℃) Collector current 3.BASE ICM:0.6A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600V 1 2 3 Opcrating and storage junction temperature range TJ,Tstg:-65℃ to -150℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specjfied): MIN TYP MAX UNIT Parameter Symbol Tes

3.1. alj13005.pdf Size:150K _update

SUNROC ALJ13005 TRANSISTOR(NPN) MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) MAXI Parameter Value Units Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage VCEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current IC 2.0 A Collector Power Dissipation PC 50 W Junction Temperature Tj 150 ℃ Storag Temperature -55~150 ℃ Tstg ELECTRICAL CHARACTERISTICS

SUNROC ALJ13003 TRANSISTOR(NPN) FEATURES ·power switching applications MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current-Continuous 1.2 A PC Collector Power Dissipation 25 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55

3.3. alj13001.pdf Size:195K _update

SUNROC ALJ13001 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. BASE power switching applications 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units 1 2 3 VCBO Collector -Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current -Continuous 0.2 A PC Collector Power Dissipation

3.4. alj13003.pdf Size:104K _update

SUNROC ALJ13003 TRANSISTOR(NPN) FEATURES ·power switching applications MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current-Continuous 1.2 A PC Collector Power Dissipation 25 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector