Ddr3 4 гб частота 1333 мгц

Ddr3 4 гб частота 1333 мгц

Производитель: Kingston. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1333 МГц

Пропускная способность
10600 Мб/с

Объем
1 модуль 16 Гб

Поддержка ECC
есть

Количество чипов каждого модуля
36, двусторонняя упаковка

Производитель: Foxline. Тип памяти
DDR3

Форм-фактор
SODIMM 204-контактный

Тактовая частота
1333 МГц

Пропускная способность
10600 МБ/с

Объем
1 модуль 1 ГБ

Поддержка ECC
нет

Буферизованная (Registered)
нет

Низкопрофильная (Low Profile)

Производитель: Samsung. Тип памяти
DDR3L

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1333 МГц

Пропускная способность
10600 Мб/с

Объем
1 модуль 16 Гб

Поддержка ECC
есть

Количество чипов каждого модуля
36, двусторонняя упаковка

Характеристики и описание товара Kingston KVR1333D3N9/4G
,
являются информацией только для ознакомления и не могут быть публичной офертой. Данная информация, а так же внешний вид и комплектация Kingston KVR1333D3N9/4G
мог

DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM, увеличив размер предподкачки с 4 бит до 8 бит. [1] [2]

У DDR3 уменьшено потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. [3] [4] Снижение напряжения питания достигается за счёт использования более тонкого техпроцесса (вначале — 90 нм, в дальнейшем — 65, 50, 40 нм) при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

Существует вариант памяти DDR3L (L означает Low ) с ещё более низким напряжением питания, 1,35 В, что меньше традиционного для DDR3 на 10 %. [5]

Также существует модули памяти DDR3U (U означает Ultra Low Voltage ) с напряжением питания 1,25 В, что ещё на 10 % меньше, чем принятое для DDR3L. Финальная спецификация на все три разновидности (DDR3, DDR3L, DDR3U) была опубликована на сайте JEDEC в декабре 2010 с дополнениями, касающимися стандартов DDR3U-800, DDR3U-1066, DDR3U-1333, а также DDR3U-1600 в октябре 2011. [6]

Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.

Типичные объёмы обычных модулей памяти DDR3 составляют от 1 ГБ до 16 ГБ. В виде SO-DIMM обычно реализуются модули ёмкостью до 8 ГБ. С 2013 года выпускаются модули SO-DIMM 16 ГБ, но они редки и имеют ограниченную совместимость [7] .

Содержание

Совместимость [ править | править код ]

Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы с модулями памяти DDR2 ни электрически, ни механически. Ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие несовпадения электрических параметров.

В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.

При использовании процессоров Intel Skylake и более новых возможна установка только модулей памяти DDR3L 1,35 В, но не DDR3 1,5 В. Однако такие модули и слоты для них не имеют защитного ключа, что создает риск установки несовместимой памяти [8] .

Спецификации стандартов [ править | править код ]

Стандартное название Частота памяти, МГц [9] Время цикла, нс Частота шины, МГц Эффективная (удвоенная) скорость, млн. передач/с Название модуля Пиковая скорость передачи данных при 64-битной шине данных в одноканальном режиме, МБайт/с
DDR3‑800 100 10,00 400 800 PC3‑6400 6400
DDR3‑1066 133 7,50 533 1066 PC3‑8500 8533
DDR3‑1333 166 6,00 667 1333 PC3‑10600 10667
DDR3‑1600 200 5,00 800 1600 PC3‑12800 12800
DDR3‑1866 233 4,29 933 1866 PC3‑14900 14933
DDR3‑2133 266 3,75 1066 2133 PC3‑17000 17066
DDR3‑2400 300 3,33 1200 2400 PC3‑19200 19200

Несмотря на то, что стандартом не описывается память со скоростью работы выше DDR-2400 или отличной от указанной в таблице, следует заметить, что также существуют и нестандартные решения, такие как DDR3-2000 (например, Team Xtreem TXD34096M2000HC9DC-L [10] ), или более быстрые DDR3-2666, DDR3-2933 [11] (пропускная способность последних сопоставима с аналогичными модулями DDR4-2666 и DDR4-2933 соответственно).

Читайте также:  Asrock com на русском

Возможности DDR3 [ править | править код ]

Возможности микросхем DDR3 SDRAM [ править | править код ]

  • Предвыборка 8 слов на каждое обращение (Prefetch buffer) [12][13]
  • Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
  • Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
  • Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
  • Выполнение CAS Write Latency за такт
  • Встроенная терминация данных
  • Встроенная калибровка ввода-вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
  • Автоматическая калибровка шины данных

Возможности модулей DIMM DDR3 [ править | править код ]

  • Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
  • Высокоточные резисторы в цепях калибровки
  • Введен более компактный тип модулей VLP для использования в Blade-серверах [14]

Существуют различные типы модулей: DIMM, UDIMM, RDIMM; SODIMM, mini RDIMM, MicroDIMM [14]

Преимущества и недостатки [ править | править код ]

Преимущества по сравнению с DDR2 [ править | править код ]

  • Бо́льшая пропускная способность (до 19200 МБайт/с)
  • Меньшее энергопотребление.

Недостатки по сравнению с DDR2 [ править | править код ]

  • Более высокая CAS-латентность (компенсируется большей пропускной способностью)

Производители микросхем памяти [ править | править код ]

В 2012—2013 годах более 10 % рынка поставок микросхем памяти DDR3 занимали [15] [16]

Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

реклама

Оптимальные тайминги: X-(X-2)-(X-3).

Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на двойку и RAS Precharge (tRP) на тройку относительно CAS Latency (tCL).

Реакция на изменение напряжения: слабая, но есть во всем интервале от 1.35 В до 1.85 В и не зависит от установленных таймингов.

реклама

Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

Оптимальные тайминги:

  • X-(X+2)-(X+2) на высоких частотах (1866-2400 МГц);
  • X-(X+1)-(X+1) на низких частотах (1333-1600 МГц).

Реакция на изменение напряжения:

  • С ровными таймингами: отсутствует;
  • С оптимальными таймингами:
  • От 1.35 B до 1.65 B: хорошо масштабируется по частоте (200-300 МГц);
  • От 1.65 B до 1.75 B: слабо масштабируется по частоте (10-20 МГц);
  • От 1.75 B до 1.80 B: небольшое снижение частоты (10-20 МГц).

Минимальные тайминги для стандартных частот:

  • Для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 6-7-7-15 1T;
  • Для частоты 1600 МГц с напряжением 1.50 В: 7-8-8-15 1T;
  • Для частоты 1866 МГц с напряжением 1.50 В: 8-10-10-15 1T;
  • Для частоты 2133 МГц с напряжением 1.50 В: 9-11-11-15 1T.

Десятиминутная проверка в LinX:

Разгон на максимальную частоту памяти в CPUZ – 2600 МГц с таймингами 11-12-12-28 1T и напряжением 1.75 В:

И в завершение еще один тест — возможность совместной работы шести модулей на микросхемах трех разных типов (Samsung M378B1G73BH0-CH9, Patriot_PSD38G13332, GeIL GB316GB1600C10DC) общим объемом 48 Гбайт в трехканальном режиме на материнской плате ASUS Rampage III Black Edition на частоте 1465 МГц (тайминги не оптимизировалась).

реклама

Список модулей и комплектов памяти объемом 8 Гбайт

Чтобы облегчить поиск и выбор оперативной памяти для разгона, основанной на «правильных» микросхемах, силами участников оверклокерских форумов формируются списки, по которым можно определить, какие микросхемы памяти используются для производства тех или иных модулей и комплектов оперативной памяти. Есть даже отдельный сайт, целиком посвященный этой теме – RAM List.

Но на таких ресурсах сейчас в основном собирается информация по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 1 Гбит (наиболее часто используемой оверклокерами из-за лучшего соотношения частот и таймингов) и по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 2 Гбит (наиболее высокий разгон по частоте, пусть и с большими таймингами). А по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 4 Гбит почти ничего нет, как из-за относительной новизны такой памяти, так и благодаря её меньшей распространенности (особенно среди оверклокеров).

По этой причине был собран свой собственный небольшой список, источником информации для которого послужили QVL-списки производителей материнских плат, сайты интернет-магазинов с фотографиями модулей памяти и другие.

реклама

Производитель
модуля
Маркировка
модуля
Тип памяти Объём, Мбайт Производитель
микросхем
Маркировка
микросхем
A-DATA AD3U1333W8G9-2 DDR3-1333 2×8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
A-DATA AXDU1333GW8G9-2G DDR3-1333 2×8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
A-DATA EL64C1D1624Z1 DDR3-1600 8192 Elpida J4208BBBG-GN-F
A-DATA SU3U1333W8G9 DDR3-1333 8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
AMD Memory (Patriot) AE38G1601U2 DDR3-1600 2×8192 Micron D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)
Corsair Dominator CMP32GX3M4X1600C10 DDR3-1600 4×8192 Elpida
Corsair Dominator GT CMT32GX3M4X1866C9 DDR3-1866 4×8192 Micron
Corsair Vengeance CMZ8GX3M1A1600C10 DDR3-1600 8192 Elpida
Corsair Vengeance CMZ16GX3M2A1600C10 DDR3-1600 2×8192 Elpida
Corsair Vengeance CMZ32GX3M4X1600C10 DDR3-1600 4×8192 Elpida
Corsair Vengeance CMZ16GX3M2A1866C10 DDR3-1866 2×8192 Micron
Corsair Vengeance CMZ32GX3M4X1866C10 DDR3-1866 4×8192 Micron
Corsair XMS3 CMX8GX3M1A1333C9 DDR3-1333 8192 Elpida
Corsair XMS3 CMX16GX3M2A1600C11 DDR3-1600 2×8192 Elpida
Corsair XMS3 CMX32GX3M4A1600C11 DDR3-1600 4×8192 Elpida
Crucial CT102464BA1339 DDR3-1333 8192 Micron D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D)
Crucial CT2KIT102464BA1339 DDR3-1333 2×8192 Micron D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D)
Crucial CT3KIT102464BA1339 DDR3-1333 3×8192 Micron D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D)
GeIL GB316GB1600C10DC DDR3-1600 2×8192 Elpida Elpida B-Die (remarked)
G.Skill F3-1866C10D-16GAB DDR3-1866 2×8192 Micron D9NZZ (MT41K512M8RA-15E: D)
G.Skill F3-2133C9Q-32GXH DDR3-2133 4×8192 Samsung
Hynix HMT41GU6MFR8C-H9 DDR3-1333 8192 Hynix H5TQ4G83MFR-H9C
Hynix HMT41GU6MFR8C-PB DDR3-1600 8192 Hynix H5TQ4G83MFR-PBC
Kingston KVR1333D3N9/8G DDR3-1333 8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
J4208EASE-DJ-F
Mushkin Model 992017 DDR3-1333 8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
Mushkin Model 997017 DDR3-1333 2×8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
Mushkin Model 999017 DDR3-1333 3×8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
Mushkin Model 994017 DDR3-1333 4×8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
NCP NCPH10AUDR-13M28 DDR3-1333 8192 Elpida Elpida B-Die (remarked)
Patriot PGD332G1333ELQK DDR3-1333 8192 Micron D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)
Patriot PSD38G13332 DDR3-1333 4×8192 Micron D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D)
Samsung M378B1G73AH0-CH9 DDR3-1333 8192 Samsung SEC K4B4G0846A-HCH9
Samsung M378B1G73BH0-CH9 DDR3-1333 8192 Samsung SEC K4B4G0846B-HCH9
SanMax SMD-16G28NP-16K-D-BK DDR3-1600 2×8192 Elpida J4208BBBG-GN-F
SanMax SMD-32G28NP-16K-Q-BK DDR3-1600 4×8192 Elpida J4208BBBG-GN-F
SanMax SMD-16G28CP-16K-D-BK DDR3-1600 2×8192 Micron D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)
SanMax SMD-32G28CP-16K-Q-BK DDR3-1600 4×8192 Micron D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)
Silicon Power SP008GBLTU133N02 DDR3-1333 8192 Elpida Elpida B-Die (remarked)
Transcend TS1GLK64V3H DDR3-1333 8192 Micron D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)
Читайте также:  Canon i sensys mf8280cw картридж

Заключение

В целом модули памяти объемом 8 Гбайт во многом схожи со своими предшественниками на 4 Гбайта. Они по-прежнему требуют использования высоких таймингов для разгона, способны работать на пониженном напряжении (1.35 В), и масштабируются по частоте примерно до 1.65 В. Нагрев микросхем памяти плотностью 4 Гбит незначителен даже при разгоне, так что в радиаторах для них необходимости нет. Но если цены на бюджетные «планки» по 4 Гбайта давно стабилизировались и находятся на уровне 600-700 рублей за модуль, то разброс цен на память объемом 8 Гбайт все еще достаточно большой – от 1500 до 2800 рублей за модуль. Причем по минимальной цене можно купить только то, что совершенно не подходит для разгона.

Модули памяти объемом 8 Гбайт остаются специфическим товаром и пока далеки от того, чтобы стать массовыми, но, несмотря на это, среди них уже есть «из чего выбирать и что разогнать». Если ваши потребности в объеме оперативной памяти все еще можно обеспечить при помощи четырех модулей объемом 4 Гбайта каждый, то на данный момент такой вариант будет выгоднее, чем два модуля по 8 Гбайт. В будущем, скорее всего, снижение цен на память с высокой плотностью продолжится, а разрыв цен между микросхемами Samsung и Elpida сократится. Но пока можно выбрать только два параметра из трех: объем, цена, разгонный потенциал.

реклама

Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Наличие упаковки.
[+] Низкая цена, в районе 1500 рублей за модуль.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Запаянная упаковка не позволяет проверить память на совместимость и разгон, не повреждая товарный вид. Высока вероятность того, что память вскроют еще до продажи, чтобы проставить на модули наклейки с серийными номерами.
[-] Плохой разгон. На частоте 1600 МГц память смогла работать только с CAS Latency 11.

NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Низкая цена, в районе 1500 рублей за модуль.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Плохой разгон. На частоте 1600 МГц память смогла работать только после повышения напряжения до 1.75 В.

Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Невысокая цена, лишь немногим выше, чем у памяти на микросхемах Elpida ревизии B (Silicon Power, NCP и прочие).
[+] Микросхемы Micron с плотностью 4 Гбит по разгону хоть и не могут сравниться с Samsung, но все же лучше всех разновидностей Elpida.

Читайте также:  Asus crosshair iii formula

GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600 2×8192 Мбайта

[+] Наличие профиля XMP.
[+] Необычный внешний вид модулей и светодиодная подсветка.
[+] Наличие упаковки.
[+] Использование восьмислойной печатной платы Brainpower.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Плохой разгон. Может работать на частоте чуть выше 1600 МГц даже с пониженным до 1.35 В напряжением, но уровень Micron (и тем более Samsung) недостижим.

реклама

Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Наличие упаковки.
[-] Высокая цена из-за использования дорогих микросхем Elpida ревизии A («A-Die»).
[-] Плохой разгон. Неспособность работать даже на частоте 1600 МГц.

Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Лучший разгон среди всей протестированной памяти объемом 8 Гбайт, вполне сравнимый с уровнем разгона модулей 4 Гбайт. Может работать как на высоких частотах (до 2400 МГц), так и на низких таймингах (6-7-7-15 1T при номинальной частоте 1333 МГц).
[-] Самый дорогой вариант памяти объемом 8 Гбайт с номиналом 1333 МГц. Но все равно дешевле оверклокерских комплектов, рассчитанных на работу с частотами от 1866 МГц и выше.

С точки зрения разгонного потенциала все протестированные модули (да и вообще всю память с объемом, равным восьми гигабайтам) можно разделить на три типа, в зависимости от производителя микросхем:

  • Elpida. Не способны работать на частотах выше 1600 МГц, да и эту частоту берут далеко не все экземпляры. Модули памяти, основанные на четырехгигабитных микросхемах Elpida ревизии A (J4208BASE, J4208EASE и прочие) отличаются высокой ценой и вероятно скоро исчезнут из продажи. Микросхемы Elpida ревизии B (J4208BBBG и другие), наоборот, используются в самых дешевых (с номиналом 1333 и 1600 МГц) модулях объемом 8 гигабайт многими производителями (A-DATA, Corsair, Mushkin и другие), и со временем их ассортимент будет только больше. Выбор тех, кого не волнует разгон памяти, главное, чтобы она работала и стоила как можно меньше.
  • Micron. Память среднего уровня, способная достигать частот 1866-2000 (2133 МГц), в зависимости от удачности и типа использованных микросхем (D9PCH, D9PBC, D9NZZ). Помимо продукции Crucial их можно встретить и в основе других бюджетных модулей, например, Patriot Memory. Есть вероятность найти Micron в комплектах Corsair и G.Skill с номиналом 1866 МГц, поскольку Elpida для них уже не подходит по частотному потенциалу, а Samsung разумнее использовать только в самых дорогих и быстрых комплектах. По цене Micron немного дороже, чем Elpida ревизии B, но существенно дешевле, чем Samsung. Выбор экономных оверклокеров, которым не трудно переплатить сотню-две рублей за каждый модуль, чтобы получить хоть какой-то разгон, но не готовых платить двойную цену за Samsung или ждать пока цены на 8 Гбайт модули окончательно стабилизируются и сравняются (как это уже давно произошло с ценами на память объемом 4 Гбайта).
  • Samsung. На данный момент это лучшая для разгона память с плотностью 4 гигабита, но она же и самая дорогая. Микросхемы Samsung способны работать на частотах, значительно превышающих 2 ГГц. Встретить можно либо в виде оригинальных модулей Samsung, либо в топовых «оверклокерских» комплектах (например, производства G.Skill или GeIL), рассчитанных на номинальные частоты от 2133 МГц и выше. Эта память для тех, кто хочет получить не только большой объем, но и высокие частоты. Комплекты памяти объемом 64 Гбайта (8×8192 Мбайта), работающие на частотах 2133-2400 МГц, обойдутся вам в $800-950, не считая пересылки в Россию. Отдельные модули Samsung Original уже можно купить в России, и они немного дешевле «оверклокерских» комплектов, но даже их не каждый энтузиаст может себе позволить.

Неясными остаются только возможности 4 Гбит микросхем Nanya (Elixir) и Hynix . Найти в продаже модули памяти на их основе пока не удалось. Но если учесть, что после увеличения плотности микросхем от 2 до 4 Гбит расстановка сил между Elpida, Micron и Samsung в целом осталась прежней, то можно предположить, что от Nanya (Elixir) ничего особенного ждать не стоит, а Hynix снова может составить конкуренцию Samsung. Но это уже тема для отдельного исследования.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector